คุณคำนวณแรงดันไฟฟ้าในตัวอย่างไร?

2024 ผู้เขียน: Miles Stephen | [email protected]. แก้ไขล่าสุด: 2023-12-15 23:41

NS ศักยภาพในตัว (ที่ 300 K) เท่ากับ f_ผม = kT/q ln(10¹⁶ x 9 x 10¹⁷/NS_ผม²) = 0.77 V โดยใช้ kT/q = 25.84 mV และ n_ผม = 10¹⁰ ซม^-3. NS ศักยภาพในตัว (ที่ 100°C) เท่ากับ f_ผม = kT/q ln(10¹⁶ x 9 x 10¹⁷/NS_ผม²) = 0.673 V โดยใช้ kT/q = 32.14 mV และ n_ผม = 8.55 x 10¹¹ ซม^-3 (จากตัวอย่างที่ 20)

ดังนั้น แรงดันไฟในตัวของจุดแยก pn คืออะไร?

มี “ สร้าง -ใน" แรงดันไฟฟ้า ที่ ทางแยก pn ส่วนต่อประสานที่ป้องกันการแทรกซึมของอิเล็กตรอนเข้าไปในด้าน p และรูเข้าไปในด้าน n เมื่อ แรงดันไฟฟ้า V เป็นบวก (ขั้ว "ไปข้างหน้า") ระยะเลขชี้กำลังเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็วด้วย V และกระแสสูง

นอกจากนี้ คุณจะวัดศักยภาพของสิ่งกีดขวางได้อย่างไร โวลต์มิเตอร์ธรรมดามีอิมพีแดนซ์อินพุตจำกัด ซึ่งหมายความว่า to วัด แรงดันไฟฟ้าข้าม จะต้องมีกระแส (เล็ก) บางส่วนผ่านโวลต์มิเตอร์ ดังนั้น ถึง วัด ในตัว ศักยภาพ ของไดโอดที่มีโวลต์มิเตอร์จะต้องในตัว ศักยภาพ 'ขับ' กระแส (เล็ก) ผ่านโวลต์มิเตอร์

แล้วอะไรคือสิ่งที่สร้างขึ้นในแรงดันไฟฟ้า?

4.3. 1 ดิ สร้าง - ในศักยภาพ NS สร้าง - ศักยภาพในเซมิคอนดักเตอร์เท่ากับศักยภาพทั่วทั้งบริเวณพร่องในสมดุลความร้อน นอกจากนี้ยังเท่ากับผลรวมของศักย์รวมของแต่ละภูมิภาค เนื่องจากศักย์รวมจะวัดระยะห่างระหว่างพลังงานเฟอร์มีและพลังงานภายใน

พื้นที่พร่องหมายถึงอะไร?

พื้นที่พร่อง หรือ ชั้นพร่อง คือ ภาค ในไดโอดแยก P-N ที่ไม่มีผู้ให้บริการชาร์จมือถืออยู่ ชั้นพร่อง ทำหน้าที่เหมือนสิ่งกีดขวางที่ขวางการไหลของอิเล็กตรอนจากด้าน n และรูจากด้าน p